最近总结了一些晶体管的基础知识，类似于学习笔记，适合初学者学习。

晶体管的基本放大电路

基本共发射极放大器电路

共发射极放大器电路的环路组成

输入回路:△u1为输入电压信号，通过Rb接基极和发射极回路。

输出环路:放大的信号在集电极和发射极环路中。

发射极是两个环路的公共端，所以称为共发射极放大电路。

晶体管工作在放大状态的外部条件:发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。

为此，我们需要基极电源VBB和集电极电源VCC，以及VCC >: VBB .

晶体管的放大作用表明，小的基极电流可以控制大的集电极电流。

IE:发射极结电流。

IB:基极电流。

IC:集电极电流

关系:IE=IB IC

共射电流放大系数

一般认为:

电流放大关系式

晶体管共射特性曲线

1。输入特性曲线

说明:管压降Uce恒定时基极电流iB与发射极结压降Ube的函数关系。

晶体管输入特性曲线

发射极结与集电极结并联时(Uce=0)，是二极管状态，类似于PN结的伏安特性曲线。

对于某个Ube，当Uce增加到一定值时，ic不会增加，也就是ib基本不变。

2。输出特性曲线

描述特点:基极电流Ib不变时集电极电流Ic与管压降Uce的函数关系。

晶体管输出特性曲线

对于不同的Ib，有相应的曲线。

当Uce增大时，ic立即增大，但当Uce增大到一定数目时，集电极结的电场足以将基区中的大部分不平衡少数载流子收集到集电极区，此时ic不再明显增大，也就是说ic基本上只与ib决定。

晶体管三个工作区域截止区：发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。共射电路中：Ube≤Uon且Uce>Ube，也就是基极电压太小。放大区：发射结正向偏置且集电结反向偏置。共射电路中：Ube>Uon且Uce≥Ube。此时ic基本仅决定与ib，与Uce无关，此时就用基极电流控制了集电极电流。饱和区：发射结与集电结都处于正向偏置。共射电路中：Ube>Uon且Uce<Ube。此时ic除了与iB有关外，明显随着Uce增大而增大。实际电路中判断晶体管饱和时：如果晶体管Ube增大时，即iB增大，但是ic基本不变，即说明晶体管进入了饱和区。晶体管温度特性曲线

温度对晶体管输出特性的影响

实线为20℃时的特性曲线，虚线为60℃时的特性曲线。可以看出，集电极电流随着温度的升高而增加。

集电极的耗散功率增加。当硅管的温度高于150℃，锗管的温度高于70℃时，管的性能会受到损害。因此，对于大功率管，需要重视温升测试，选择合适的散热器。

极间反向击穿电压

定义:当晶体管的一个电极开路时，允许施加在另外两个电极上的最大反向电压。

U(BR)CBO:发射极开路时集电极和基极之间的反向击穿电压。

U(BR)CEO:基极开路时集电极和发射极之间的反向击穿电压。

U(BR)EBO:开路集电极中发射极和基极之间的反向击穿电压。

结构图与实物图

晶体管结构示意图

晶体管物理图

以上是晶体管基础知识的笔记总结，属于入门级知识，也是后续放大电路知识的基础。有需要，有兴趣的可以了解一下。欢迎转发收藏。我是一个头脑有点热的电子君，关注不断更新电子电路知识。

,