IGBT是绝缘栅双极晶体管。它是由BJT双极晶体管和MOS绝缘栅FET组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，兼具MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降低的优点。

静态特性:IGBT的静态特性主要包括伏安特性、传递特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压UGS为参数变量时，漏电流与栅电压的关系曲线。输出漏极电流比由栅源电压UGS控制。UGS越高，ID越大。这与GTR的产出特征相似。也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在IGBT关断状态下，直流电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果没有n+缓冲器，正向和反向阻断电压可以处于相同的电平。加了n+缓冲后，反向关断电压只能达到几十伏，限制了IGBT的一些应用范围。